1. <ol id="sxyqo"><del id="sxyqo"><noscript id="sxyqo"></noscript></del></ol>
    1. <dd id="sxyqo"><source id="sxyqo"><td id="sxyqo"></td></source></dd>
    2. <span id="sxyqo"><del id="sxyqo"></del></span>

    3. <mark id="sxyqo"><center id="sxyqo"></center></mark>

        產品中心

        氮化鎵分立器件

        氮化鎵分立器件

        產品名稱:氮化鎵分立器件
        產品編號:7493-192
        上架時間:2018-12-27
        瀏覽次數:1485

        產品詳情

                氮化鎵與第一代的Si以及第二代的GaAs等前輩相比,其在特性上優勢突出。由于禁帶寬度大、導熱率高,GaN器件可在200℃以上的高溫下工作,能夠承載更高的能量密度,可靠性更高;較大禁帶寬度和絕緣破壞電場,使得器件導通電阻減少,有利與提升器件整體的能效;電子飽和速度快,以及較高的載流子遷移率,可讓器件高速地工作。

        Copyright © 2014-2017 石家莊市厚膜集成電路廠  http://www.szshddz.com 版權所有   冀ICP備12000830號

        在線客服

        關閉

        客戶服務熱線
        0311-68008236 13643118092


        點擊這里給我發消息 



        掃描二維碼

        色婷婷视频一区二区三区

        1. <ol id="sxyqo"><del id="sxyqo"><noscript id="sxyqo"></noscript></del></ol>
          1. <dd id="sxyqo"><source id="sxyqo"><td id="sxyqo"></td></source></dd>
          2. <span id="sxyqo"><del id="sxyqo"></del></span>

          3. <mark id="sxyqo"><center id="sxyqo"></center></mark>